讓你5分鐘看懂QLC的前世今生

如果您經常關注科技新聞，相信最近幾天已經被《三星電子開始批量生產業界首款QLC消費類SSD》的新聞洗版。作為新一代的記憶體技術，業界首款QLC消費類SSD必將對現今的存儲市場帶來深刻影響，將消費類型SSD的容量空間帶入更高水平。

作為一般用戶，在決定購買之前，對QLC這項新技術進行簡單了解是很有必要的，今天星小編轉載一篇針對硬體新玩家的形像生動的講解，讓大家五分鐘搞懂QLC的前世今生，以下為正文：



三星電子開始批量生產業界首款QLC消費類SSD所使用的QLC暫存是第四代V-NAND，64層3D堆疊，什麼是3D NAND?什麼是3D堆疊？什麼是QLC?

總結下來，其實就是三句話：

1. 3D NAND 技術就是蓋樓。

2. 3D 堆疊層數就是高樓的層數。

3. QLC的演進，就是從套房變成了四房。

下面详细解释一下，不良副作用未知，请慎读：

1. 以上的總結都是基於半導體產業的前半段，即芯片生產階段，至於後端封裝。

2. 芯片生產階段，就是將晶圓柱→切成晶圓→在晶圓上蝕刻電路的過程。

3. 晶圓柱切成晶圓沒啥可說，類似大廚切蘿蔔，手法熟練。

4. 在晶圓上蝕刻電路就比較複雜了，簡單來說就是蓋房子。盖房子分2步：

a.蓋樓層，隔出每一戶；

---其實就是搭承重牆。

b.每一戶裡面隔出房間；

---其實就是隔間。

下面再详细解释一下第4步的a/b部分：

下面再詳細解釋一下第4步的a/b部分：

半導體廠商則是想要在同一個chip（或者叫die，晶圓上切出來的小片）上裝進去更多的數據,so：

第一步：蓋樓層，越高越好；堆層數，越多越好。

這些年，我們眼見他起高樓，宴賓客；起更高的樓，宴更多的賓客。

這些年，我們從V1起（好像是8層）步，走走走，到了V4（64層），馬上就威武（V5,90+層）了。

所以，3D 堆疊層數的提高，就是在一個chip或者Die裡面蝕刻更多層的電路。第二步：改戶型，QLC。

構成樓層的，是一戶戶的房子；

構成3D NAND每一層電路的，就是一個個的cell；

想當年，一個cell只能儲存1bit的數據的SLC時代，買個SSD得花掉不少金錢。

於是，半導體廠商們將技術從SLC一路升級到QLC，1個cell現在能存儲4bit數據了。



所以，XLC技術的進步，就是在一個cell裡面儲存更多bit的數據。

那麼現在有一個很重要的問題：從3bit的TLC到4bit的QLC，容量到底是增加了33%還是一倍？

• 用最簡單的算法，（4-3）/3=33%。


• 用裝專業的算法，1bit就是1位二進制數，可以表示0或者1兩個數，3bit就是2的三次方8個數，4bit就是16個數。 （16-8）/8=1倍。

相信數學好的人一看就懂，答案是：33%！

最簡單的解釋：SSD的容量，單位是B（GB或者TB前面的T和G是表徵數量級，不是單位），1B=8bit，本身就是以bit為單位的。

所以，討論容量的增長是以bit為單位計算，（QLC-TLC）/TLC=（4bit-3bit）/3bit=33% 。

橫比的解釋：3居室，3間屋，假設每間住一個人，這個人可男可女，一共是8種可能。 4居室則是16種可能。

但是，再多可能的組合，3居室也只是住3個人，4居室住4個人，容量只是增加了1人而已。